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碳化硅涂層是指采用物理或化學(xué)氣相沉積、噴涂等方法在零件表面制備SIC涂層的方法。
SiC具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能,如高熔點(diǎn)、高硬度、耐腐蝕、抗氧化等,特別是在1800-2000℃范圍,具有良好的抗燒蝕性能,因此,在航空航天、兵器裝備等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但SiC本身不能作為結(jié)構(gòu)材料使用,所以通常采用制備涂層的方法,以利用其耐磨性以及抗燒蝕性。
1、化學(xué)氣相沉積(CVD) [1]
將需制備SiC涂層的試樣放入反應(yīng)管中,以MTS為先驅(qū)體原料,在950-1300℃、負(fù)壓條件下沉積SiC涂層在試樣表面。
2、先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法(PIP) [2]
將試樣進(jìn)行預(yù)處理后,放入浸漬罐中,對(duì)浸漬罐抽真空,再注入浸漬溶液,加壓浸漬,減壓取出試樣。在爐中進(jìn)行裂解,爐冷至室溫取出,即可在試樣表面實(shí)現(xiàn)SiC涂層。這里的浸漬溶液是陶瓷先驅(qū)體為主要成分的溶液。
SiC單晶生產(chǎn)TaC涂層坩堝
TaC涂層托盤(pán)
TaC涂層噴管
TaC涂層隔熱屏
Solid SiC 盤(pán)、環(huán)
Solid SiC 載片器
4寸多片石墨盤(pán)(CVD SiC涂層)
6寸單片石墨盤(pán)(CVD SiC涂層)
PECVD舟架(CVD SiC涂層)
SiC芯片外延成套石墨零部件(CVD SiC涂層)CVD SiC涂層石墨發(fā)熱體
SiC陶瓷刻蝕盤(pán)(CVD SiC涂層)